Qualcomm Snapdragon 845: Στα 10nm FinFET η λιθογραφία του νέου SoC;

Ύστερα από την πρόσφατη συνεργασία της Qualcomm με την TSMC, οι φήμες πως το νέο flagship SoC της εταιρείας, Snapdragon 845, θα βασίζεται στην αρχιτεκτονική των 7nm, αναζωπυρώθηκαν.  Όμως σύμφωνα με νέες διαρροές, η Qualcomm σκοπεύει μάλλον να παραμείνει στην αρχιτεκτονική των 10nm FinFET και έτσι το Snapdragon 845 θα αποτελεί μία βελτιστοποιημένη έκδοση του Snapdragon 835, με αναβαθμισμένους πυρήνες Cryo και νέα GPU. Πίσω από την κατασκευή του νέου SoC βρίσκεται για άλλη μία φορά η Samsung, η οποία, όπως όλα υποδεικνύουν, θα δεσμεύσει για άλλη μια φορά το μεγαλύτερο - αν όχι ολόκληρο - μέρος της πρώτης παρτίδας. Το Samsung S8 ήταν η πρώτη Android ναυαρχίδα με Snapdragon 835, οπότε το επερχόμενο Galaxy S9 θα είναι το πρώτο smartphone με Snapdragon 845 SoC. Η νοτιοκορεατική εταιρεία θα παρουσιάσει και τη δική της Exynos-based έκδοση της συσκευής, με τον αναβαθμισμένο διάδοχο του 8895, ο οποίος, κατά πάσα πιθανότητα, θα αποκαλείται Exynos 8900, προσφέροντας υψηλότερους χρονισμούς και νέες δυνατότητες, όσον αφορά τις VR/AR εφαρμογές. Η Samsung Electronics, μέσω του Sanghyun Lee (Αντιπροέδρου Μαρκετινγκ, Samsung Foundry), έχει ήδη δηλώσει ότι κατασκευάζει νέες εγκαταστάσεις, ικανές να παράγουν ολοκληρωμένα στα 7nm, για την παραγωγή των οποίων θα εφαρμοστεί μία μέθοδος ακραίας υπεριώδους ακτινοβολίας (EUV), όχι όμως νωρίτερα από το δεύτερο εξάμηνο του επόμενου έτους.