Άρθρωμα μνήμης DDR5 μεγέθους 512GB ανακοίνωσε η Samsung

Αν και στην ανακοίνωση της για τη 12^η γενιά επεξεργαστών Intel® Core™ (Alder Lake) δόθηκε μεγάλη σημασία στην υποστήριξη του νέου τύπου μνήμης DDR5 -το ίδιο θα κάνει και η AMD με τη νέα γενιά επεξεργαστών Ryzen™- εντούτοις φαίνεται πως θα περάσουν αρκετά εξάμηνα ακόμη ωσότου ο νέος τύπος μνήμης γίνει «mainstream». Παρόλα αυτά, αρκετοί κατασκευαστές chips και αρθρωμάτων μνήμης έχουν ήδη φτάσει στο τελικό στάδιο της ανάπτυξης των προϊόντων τους. Μία από τις εταιρείες που ολοκλήρωσαν την ανάπτυξη των εν λόγω chips είναι και η Samsung. Η Κορεάτικη εταιρεία μάλιστα φαίνεται να βρίσκεται μπροστά από ορισμένους από τους ανταγωνιστές της καθώς ανακοίνωσε το πρώτο άρθρωμα μνήμης DDR5 που έχει μέγεθος 512GB. Τέτοια αρθρώματα μνήμης βεβαίως δεν απευθύνονται στους απλούς χρήστες (οι οποίοι θα μπορούν να αγοράζουν μνήμες χωρητικότητας έως και 64GB όταν αποκαλυφθούν πλήρως οι πλατφόρμες desktop των AMD και Intel) αλλά σε κέντρα δεδομένων και επιχειρησιακής-κλάσης διακομιστές.

Όπως και να έχει, μία τέτοια μνήμη αποτελεί επίτευγμα και για να κατασκευαστεί, χρησιμοποιήθηκε μία νέα μέθοδος «στοίβαξης» των memory dies, που τα τοποθετεί κοντύτερα μεταξύ τους για την μείωση του πάχους (το πάχος του die μειώθηκε στο 1,0mm από 1,2mm στην περίπτωση των DDR4 memory modules). Πιο συγκεκριμένα, η εταιρεία χρησιμοποίησε 8-high (8H) stacked TSV (through silicon via) dies  (στοίβα οκτώ dies) αντί για 4-high (4H) stacked TSV dies που χρησιμοποιούνται στη κατασκευή μνημών DDR4. Η νέα μνήμη της τρέχει στα 7,2Gbps και είναι τύπου DDR5-7200 ενώ λειτουργεί με τάση μόλις 1,1V. Ο νέος τύπος μνήμης, σύμφωνα με τη Samsung, προσφέρει έως και 40% υψηλότερη απόδοση ενώ καταναλώνει μικρότερη ενέργεια. Σύμφωνα με τη Samsung, οι μνήμες DDR5 θα γίνουν «mainstream» την περίοδο 2023/ 2024.