Η Samsung ανάπτυξε την πρώτη μνήμη DDR5 512GB με τεχνολογία HKMG

Η Samsung ανακοίνωσε πρόσφατα ότι επεκτείνει το προϊοντικό χαρτοφυλάκιο της όσον αφορά τις μνήμες DDR5 DRAM με το πρώτο στη βιομηχανία άρθρωμα μνήμης 512GB DDR5 που βασίζεται σε κατασκευαστική μέθοδο High-K Metal Gate (HKMG). Προσφέροντας διπλάσια απόδοση από τον τύπο DDR4 και έως 7.200 Mbps (megabits per second), ο νέος τύπος μνήμης είναι ιδανικός για τις απαιτητικές σε επεξεργαστική ισχύ, υψηλού bandwidth ροές εργασίας σε τομείς όπως το supercomputing, η τεχνητή νοημοσύνη (AI), η μηχανική εκμάθηση (ML) και οι εφαρμογές ανάλυσης δεδομένων.

Ο νέος τύπος μνήμης επίσης καταναλώνει 13% λιγότερη ενέργεια και επομένως είναι ιδανικός για χρήση σε κέντρα δεδομένων. Να αναφέρουμε ότι η μέθοδος HKMG χρησιμοποιήθηκε για πρώτη φορά από τη Samsung πριν από 3 χρόνια για τη κατασκευή μνήμης GDDR6 για κάρτες γραφικών. Η Νοτιοκορεάτικη εταιρεία αξιοποιώντας την τεχνολογία through-silicon via (TSV) σύνδεσε οκτώ επίπεδα από 16Gb DRAM chips μεταξύ τους για να προσφέρει ένα άρθρωμα μνήμης DDR5 512GB. Αν και όπως αναφέραμε ο συγκεκριμένος τύπος μνήμης απευθύνεται κατά πρώτο λόγο σε απαιτητικά επιχειρησιακά περιβάλλοντα, εντούτοις είναι θέμα χρόνου να τον δούμε και στους… υπολογιστές μας.