Plaisio Blog

Η Samsung παρουσιάζει την πρώτη παγκοσμίως MRAM με τεχνολογία In-memory

Η έρευνα της Samsung Electronics για τη δημιουργία τσιπ τεχνητής νοημοσύνης επόμενης γενιάς με τεχνολογία MRAM δημοσιεύτηκε στο περιοδικό «Nature».

Η Samsung παρουσίασε το πρώτο τσιπ στον κόσμο που ενσωματώνει τις τεχνολογίες In-memory υπολογιστικού συστήματος (IMC) και MRAM (Μαγνητορηκτική Μνήμη Τυχαίας Πρόσβασης). Η έρευνα σχετικά με αυτή την καινοτομία δημοσιεύτηκε διαδικτυακά από το επιστημονικό περιοδικό Nature στις 12 Ιανουαρίου και πρόκειται να συμπεριληφθεί στην επερχόμενη έντυπη έκδοσή του. Η επιστημονική εργασία με τίτλο «A crossbar array of magnetorestive memory devices for in-memory computing», παρουσιάζει την καθοριστική συμβολή της Samsung στην τεχνολογία μνήμης και την προσπάθεια της εταιρείας να συγχωνεύσει μνήμη και ημιαγωγούς συστήματος σε ένα τσιπ τεχνητής νοημοσύνης (AI) επόμενης γενιάς.

Η έρευνα διεξήχθη από το Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT) σε συνεργασία με το Samsung Electronics Foundry Business and Semiconductor R&D Center. Ο Dr. Seungchul Jung, Ερευνητή στο SAIT, είναι ο κύριος συγγραφέας μαζί με τους Dr. Donhee Ham, Μέλος του SAIT και Καθηγητή του Πανεπιστημίου του Χάρβαρντ και Dr. Sang Joon Kim, Αντιπρόεδρο Τεχνολογίας στο SAIT.

Στην τυπική αρχιτεκτονική του υπολογιστή, τα δεδομένα αποθηκεύονται σε ένα τσιπ μνήμης, ενώ ο υπολογισμός των δεδομένων εκτελείται σε ένα ξεχωριστό τσιπ επεξεργαστή.

Αντιθέτως, το In-memory computing αποτελεί ένα νέο υπολογιστικό πρότυπο που αποσκοπεί στην εκτέλεση αποθήκευσης δεδομένων και υπολογισμού δεδομένων σε ένα δίκτυο μνήμης. Αυτό το υπολογιστικό πρότυπο, μπορεί να επεξεργαστεί μεγάλο όγκο δεδομένων που είναι αποθηκευμένα μέσα στο ίδιο το δίκτυο μνήμης χωρίς αυτά να χρειάζεται να μετακινηθούν και, καθώς η επεξεργασία δεδομένων στο δίκτυο μνήμης εκτελείται παράλληλα, η κατανάλωση ενέργειας μειώνεται σημαντικά. Το υπολογιστικό σύστημα In-memory έχει αναδειχθεί ως μια από τις πολλά υποσχόμενες τεχνολογίες για τη δημιουργία τσιπ ημιαγωγών επόμενης γενιάς, με ενσωματωμένη τεχνολογία AI και χαμηλή κατανάλωση ενέργειας.

Για αυτό το λόγο, διεξάγονται εντατικές έρευνες σχετικά με το πρότυπο In-memory computing σε παγκόσμιο επίπεδο. Συγκεκριμένα, για την παρουσίαση της νέας υπολογιστικής τεχνολογίας In-Memory έχουν μέχρι σήμερα χρησιμοποιηθεί μη-πτητικές μνήμες, όπως η RRAM (Resistive Random Access Memory) και η PRAM (Phase-change Random Access Memory). Αντίθετα, η χρήση της MRAM, ενός άλλου τύπου μη πτητικής μνήμης, δεν είχε καταστεί δυνατή μέχρι στιγμής, παρά τα πλεονεκτήματα που διαθέτει, όπως η ταχύτητα λειτουργίας, η αντοχή και η παραγωγή σε μεγάλη κλίμακα. Η δυσκολία χρήσης προέρχεται από τη χαμηλή αντίσταση της μνήμης MRAM, λόγω της οποίας, όταν χρησιμοποιείται στην in-memory τυπική αρχιτεκτονική, δεν μπορεί να ωφελήσει με το πλεονέκτημα μείωσης ισχύος που διαθέτει.

Γ. Ιωσηφίδης