Η Samsung ανακοίνωσε πρόσφατα ότι επεκτείνει το προϊοντικό χαρτοφυλάκιο της όσον αφορά τις μνήμες DDR5 DRAM με το πρώτο στη βιομηχανία άρθρωμα μνήμης 512GB DDR5 που βασίζεται σε κατασκευαστική μέθοδο High-K Metal Gate (HKMG).
Προσφέροντας διπλάσια απόδοση από τον τύπο DDR4 και έως 7.200 Mbps (megabits per second), ο νέος τύπος μνήμης είναι ιδανικός για τις απαιτητικές σε επεξεργαστική ισχύ, υψηλού bandwidth ροές εργασίας σε τομείς όπως το supercomputing, η τεχνητή νοημοσύνη (AI), η μηχανική εκμάθηση (ML) και οι εφαρμογές ανάλυσης δεδομένων.
Ο νέος τύπος μνήμης επίσης καταναλώνει 13% λιγότερη ενέργεια και επομένως είναι ιδανικός για χρήση σε κέντρα δεδομένων. Να αναφέρουμε ότι η μέθοδος HKMG χρησιμοποιήθηκε για πρώτη φορά από τη Samsung πριν από 3 χρόνια για τη κατασκευή μνήμης GDDR6 για κάρτες γραφικών.
Η Νοτιοκορεάτικη εταιρεία αξιοποιώντας την τεχνολογία through-silicon via (TSV) σύνδεσε οκτώ επίπεδα από 16Gb DRAM chips μεταξύ τους για να προσφέρει ένα άρθρωμα μνήμης DDR5 512GB. Αν και όπως αναφέραμε ο συγκεκριμένος τύπος μνήμης απευθύνεται κατά πρώτο λόγο σε απαιτητικά επιχειρησιακά περιβάλλοντα, εντούτοις είναι θέμα χρόνου να τον δούμε και στους… υπολογιστές μας.
Top products
What's trending
Μη χάσεις καμία προσφορά!
Συμπλήρωσε το email σου & γίνε ο πρώτος που θα μαθαίνει τα νέα deals!