Η IBM ανακοίνωσε ότι κατασκεύασε σε συνεργασία μα τη Samsung και τη GlobalFoundries τα πρώτα της ολοκληρωμένα κυκλώματα στα 5nm.
Τα νέα ολοκληρωμένα κυκλώματα χρησιμοποιούν Gate-All-Around Transistors (GAFET) και είναι ανάμεσα στα πρώτα wafers σιλικόνης που κάνουν χρήση της τεχνολογίας λιθογραφίας Extreme Ultraviolet (EUV).
Την τεχνολογία EUV έχει ανακοινώσει η Samsung πως σκοπεύει να τη χρησιμοποιήσει στα επερχόμενα ολοκληρωμένα της των 7nm.
Συγκριτικά μετα FinFET transistors τα GAFET θεωρούνται μια τεχνολογική επανάσταση μιας και επιτρέπουν τη θύρα σιλικόνης να περιβάλει πλήρως το επαγωγικό κανάλι του transistor, επιτρέποντας έτσι τη χρήση πολλαπλών καναλιών σε ένα και μόνο transistor. Αντίστοιχα τα FinFET επιτρέπουν κανάλια επάνω και στα πλάγια από κάθε επαγωγικό κανάλι.
Ο συνδυασμός των δύο παραπάνω τεχνολογιών επιτρέπει τη δημιουργία κυκλωμάτων με μεγαλύτερη πυκνότητα και ταυτόχρονα βελτιωμένα χαρακτηριστικά κατανάλωσης ενέργειας. Αυτό έχει ως αποτέλεσμα ισχυρότερων σε απόδυση CPU αλλά και GPU, χωρίς απαραίτητα να καταναλώνουν περισσότερη ενέργεια.
Οι νέες αυτές τεχνολογίες θα επιτρέψουν στους κατασκευαστές ολοκληρωμένων νσ επεκτείνουν την εφαρμογή του νόμου του Moore, με βάση τον οποίο ο αριθμός των τρανζίστορ ενός πυκνού ολοκληρωμένου κυκλώματος διπλασιάζεται κάθε δύο χρόνια.
Πηγή
Εικόνα: Ο επιστήμονας της IBM Research Nicolas Loubet κρατάει ένα wafer με ολοκληρωμένα σιλικόνης των 5nm.
